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基于脉冲跳变SVPWM的单相NPC型H桥级联逆变器开关损耗解析计算方法

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本发明公开了一种基于脉冲跳变SVPWM的单相NPC型H桥级联逆变器开关损耗解析计算方法，有效开关动作区间分布是将单个桥臂电流导通路径和基波周期参考矢量的空间旋转过程进行结合分析，得到各个桥臂在一个基波周期内，不同电平区段产生有效动作的开关管‑基于脉冲跳变SVPWM调制算法的理论依据，综合电平切换时的开关次数范围与电平所处的作用区段，确定一个基波周期中逆变器所有开关管的动作次数范围‑解析计算一个基波周期内开关损耗的最大值和最小值，进而得到多个基波周期稳态平均的开关损耗大小。解决了传统开关损耗解析计算无法适应开关频率与控制频率不同、有效开关动作分散、不同基波周期冗余矢量不同的问题。

著录项

公开/公告号CN111817591A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军海军工程大学;
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申请/专利号CN202010496451.4
发明设计人朱俊杰;原景鑫;聂子玲;许金;芮万智;常永昊;叶伟伟;李广波;韩一;王玉杰;孙兴法;曾雄;熊又星;
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申请日2020-06-03
分类号H02M7/487(20070101);H02M7/5387(20070101);G06F17/12(20060101);
代理机构42104 武汉开元知识产权代理有限公司;
代理人马辉
地址 430000 湖北省武汉市解放大道717号
入库时间 2023-06-19 08:36:28

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