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超宽温度稳定型、高介电常数陶瓷电容器介质材料及制备方法

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本发明公开一种超宽温度稳定型、高介电常数陶瓷电容器介质材料的多相包覆制备方法。化学通式为：(1‑x)(0.95(Bi0.5Na0.5)TiO3@Si‑0.05SrZrO3@Si)‑xNaNbO3@Si；x的取值满足以下条件：0.1≤x≤0.4，@表示包覆；先根据化学计量比，采用Bi2O3、Na2CO3、TiO2合成(Bi0.5Na0.5)TiO3，采用SrCO3，ZrO2合成SrZrO3，采用Na2CO3、Nb2O5合成NaNbO3，然后通过化学包覆法，在(Bi0.5Na0.5)TiO3、SrZrO3和NaNbO3颗粒的表面沉淀一层SiO2，从而形成“芯壳”结构，煅烧后得到(Bi0.5Na0.5)TiO3@Si、SrZrO3@Si、NaNbO3@Si粉体，按照化学通式进行配料、球墨、烘干、造粒、成型、烧结，制备而成。其工艺简单、成本低、无铅环保，具有超宽温度范围的稳定性。

著录项

公开/公告号CN114255986A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-29

原文格式PDF
申请/专利权人中国矿业大学;
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申请/专利号CN202210014728.4
发明设计人蔡子明;朱超琼;冯培忠;吉祥;杨航;李澳宇;
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申请日2022-01-07
分类号H01G4/00(20060101);H01G4/12(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人李悦声
地址 221116 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学
入库时间 2023-06-19 14:42:14

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法律状态公告日

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法律状态
2022-03-29

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