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一种动态预测NAND Block寿命末期性能的方法

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本发明公开一种动态预测NAND Block寿命末期性能的方法，本方法实时采集在各个影响因素下Block信息并对该信息分析进行动态预测该Block寿命末期的性能是否符合设计需求以及动态计算寿命末期所需电压值，使用者可以根据该方法的结果采取相应措施减少NAND Flash寿命末期出现大量读错误或者其他纠错措施带来的巨大损耗。基于该方法，可以在低资源消耗、充分利用数据下实现动态预测Block寿命末期的性能，提前识别性能较差的Block，减少出现操作错误的概率。

著录项

公开/公告号CN114283875A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人山东华芯半导体有限公司;
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申请/专利号CN202111586445.9
发明设计人曹成;
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申请日2021-12-23
分类号G11C29/56(20060101);
代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;
代理人赵玉凤
地址 250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室
入库时间 2023-06-19 14:45:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-04-05

公开

发明专利申请公布

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