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面向3D TLC闪存存储器的数据分配与重编程优化方法

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本发明涉及一种面向3D TLC闪存存储器的数据分配与重编程优化方法，属于闪存性能技术领域。包括以下步骤：S1：借助闪存控制器缓冲区，缓存临时访问的请求数据，并根据请求数据的访问特征，将数据划分为冷热读写数据；S2：根据热写数据的热度，对热写数据进行分类，建立多级热度链表；S3：根据请求数据的类别与热度，将两个热度最高的热写数据与一个热读数据进行组合，分别存放于一个word line的CSB、LSB、MSB页面；S4：根据3D闪存重编程的限制层数，设计基于限制层数的重编程方法。本发明提出了相应的数据分配算法与重编程，实现闪存控制器层，提高闪存存储器的读写性。

著录项

公开/公告号CN114281251A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人重庆邮电大学;
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申请/专利号CN202111506480.5
发明设计人龙林波;黄金鹏;蒋溢;彭崎翔;郑健聪;
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申请日2021-12-10
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构11275 北京同恒源知识产权代理有限公司;
代理人廖曦
地址 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
入库时间 2023-06-19 14:46:52

法律信息

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法律状态
2022-04-05

公开

发明专利申请公布

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2. 基于电荷捕获型3D TLC闪存的存储系统的读性能优化方法 [P] . 中国专利： CN109189348B . 2020.07.24