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一种巨磁电阻线性传感器实现方法

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摘要

一种巨磁电阻线性传感器实现方法，属于电子材料与元器件技术领域。首先，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极；然后，在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层；最后，在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。本发明巨磁电阻线性传感器实现方法，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN114280513A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202111560518.7

  • 发明设计人 唐晓莉;马成鑫;姜杰;

    申请日2021-12-20

  • 分类号G01R33/09(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 14:46:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    公开

    发明专利申请公布

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