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一种分离式严格的掩模模型与光刻胶模型建模与标定方法

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本发明属于半导体行业中计算光刻相关技术领域，并具体公开了一种分离式严格的掩模模型与光刻胶模型建模与标定方法。所述方法采用分步式掩模模型与光刻胶模型参数解耦标定的新思路，强调并利用光学成像模型与掩模模型的严格性，避免了复杂费时的复杂二维结构厚掩模近场的严格求解，实现了仅从一维或简单二维结构的掩模近场严格求解出发，即可完成适用于复杂二维结构的光刻胶模型与掩模模型的分离式严格校准与标定。此外，在上述分离式掩模模型与光刻胶模型校准结果的基础上，提供了光刻胶模型与掩模模型联合迭代校准的方法，所得校准结果可使模型更加符合实际的物理情况。

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公开/公告号CN114326287A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-12

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
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申请/专利号CN202111443238.8
发明设计人尉海清;刘世元;江浩;
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申请日2021-11-30
分类号G03F1/36(20120101);G03F7/20(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人尚威;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 14:53:05

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2022-04-12

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