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半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备

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摘要

本发明公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN114318306A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州富芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111553675.5

  • 发明设计人 韩轲;钱心嘉;孙琼;

    申请日2021-12-17

  • 分类号C23C16/505(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人丁俊萍

  • 地址 310000 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301

  • 入库时间 2023-06-19 14:54:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    公开

    发明专利申请公布

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