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一种消除负阻效应的横向RC-IGBT器件结构

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本发明提供了一种消除负阻效应的横向RC‑IGBT器件结构。该横向RC‑IGBT器件与在传统的横向IGBT器件相比，在器件的漂移区中心处存在氧化物隔离区域，且在该氧化物隔离区域内部存在一个低掺杂的硅区域。由于上述氧化物的隔离作用，在氧化物下方是传统的IGBT区域，因此可以正常导通正向导通模式的双极电流，且不存在负阻效应。在氧化物上方是续流二极管区域，因此可以正常导通反向导通模式的双极电流。通过调整氧化物上方和下方所占面积的比例，可以调整IGBT和续流二极管的性能分布。

著录项

公开/公告号CN114373749A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-19

原文格式PDF
申请/专利权人杭州电子科技大学;
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申请/专利号CN202111576801.9
发明设计人王颖;张孝冬;包梦恬;曹菲;
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申请日2021-12-21
分类号H01L27/06;H01L29/06;H01L29/739;
代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨舟涛
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2023-06-19 15:00:50

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2022-04-19

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