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集成组合件及形成集成组合件的方法

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摘要

本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。半导体材料的支柱在所述台阶上方。所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。在一些应用中，所述半导体材料可为半导体氧化物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN114388506A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202111141970.X

  • 发明设计人 S·E·西利士;李宜芳;K·J·特雷克;

    申请日2021-09-28

  • 分类号H01L27/108;H01L21/8242;H01L23/544;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人彭晓文

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 15:02:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    公开

    发明专利申请公布

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