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数据输入缓冲器和包括数据输入缓冲器的半导体装置

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摘要

一种半导体装置包括数据输入缓冲器，该数据输入缓冲器被配置为在写入操作部分期间通过接收经由数据输入/输出单元输入的数据来生成写入数据，并且该数据输入缓冲器被配置为在读取操作部分期间通过检测数据I/O单元的电压电平来生成输出电平检测信号。

著录项

  • 公开/公告号CN114388010A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN202110478507.8

  • 发明设计人 黄珍夏;郑尧韩;安根善;

    申请日2021-04-30

  • 分类号G11C7/10;G11C11/4093;G11C11/34;G11C5/14;G06F3/06;G06F1/06;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人黄倩

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 15:02:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    公开

    发明专利申请公布

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