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一种基于电感电流特征值的DAB电感损耗计算方法

摘要

本发明公开了一种基于电感电流特征值的DAB电感损耗计算方法,针对双有源桥DAB电路电感损耗与温升,通过计算电感电流特征值,对传统计算磁芯损耗的iGSE方法进行了优化,提出了基于电流的iGSE磁芯损耗计算方法,并给出了基于电流的绕组损耗表达式。本发明最终提出了通过电感电流特征值对DAB电感总损耗进行计算的方法,解决了电感损耗计算耗费时间较长、计算较为复杂的问题,同时针对DAB电路给出了计算准确度较高的电感损耗计算方法,便于设计人员在设计过程中实现对电感温升的准确估计,保证DAB实际装置运行的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114417767A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202210048189.6

  • 申请日2022-01-17

  • 分类号G06F30/373;G06F119/08;

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人贺小停

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 15:07:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/373 专利申请号:2022100481896 申请日:20220117

    实质审查的生效

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