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制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET

摘要

提供了一种用于在包括至少一条竖直纳米线(125)的半导体衬底(110)上制造非对称竖直纳米线MOSFET(100)的方法,该至少一条竖直纳米线包括核心部分(120)和外壳部分(130),该外壳部分包围核心部分(120)。该方法包括:在半导体衬底(110)上沉积保护层(140);在竖直纳米线(125)的未被保护层(140)遮盖的剩余部分(120t)周围形成顶部接触件(150);去除保护层(140);在半导体衬底(110)上沉积间隔层(160);去除竖直纳米线(125)的底部分(125b)的中间部分(125i)的外壳部分;修整竖直纳米线(125)的底部分(125b)的上部部分(125u)的外壳部分;在间隔层(160)上沉积金属栅极(170),并且形成下源极漏极部分和上源极漏极部分。

著录项

  • 公开/公告号CN114430862A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 C2安培有限公司;

    申请/专利号CN202080064240.1

  • 申请日2020-09-11

  • 分类号H01L29/06;H01L29/205;H01L29/775;H01L21/335;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/08;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人赵金强;王新华

  • 地址 瑞典利姆港

  • 入库时间 2023-06-19 15:08:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2020800642401 申请日:20200911

    实质审查的生效

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