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防光串扰Micro-LED芯片结构、制备方法以及Micro-LED显示装置

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本发明提供了一种防光串扰Micro‑LED芯片结构、制备方法及显示装置，该芯片结构包括：透明基板；多个LED像素单元，每个LED像素单元的N型外延层具有mesa台阶；相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开；N电极单元；吸光层，设置在第一沟槽所在的透明基板上、以及N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的透明基板上；吸光层的材料为黑色导电材料；金属导电层，覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及吸光层上，以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接；且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至N电极单元；绝缘层；P电极，贯穿绝缘层后设置于LED像素单元的P型外延层上；N电极，贯穿绝缘层后设置于N电极单元上。

著录项

公开/公告号CN114512504A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-17

原文格式PDF
申请/专利权人上海芯元基半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN202210108764.7
发明设计人郝茂盛;袁根如;陈朋;马后永;张楠;马艳红;闫鹏;
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申请日2022-01-28
分类号H01L27/15;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/58;
代理机构上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李茂林
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
入库时间 2023-06-19 15:21:24

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2022-05-17

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