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一种模拟MOSFET器件总剂量效应的高性能仿真方法

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摘要

本发明公开了一种模拟MOSFET器件总剂量效应的高性能仿真方法，并给出了总剂量效应作用下MOSFET器件内部和外部的电信息。该方法首先通过自由六面体网格对MOSFET器件的几何模型进行剖分；然后，采用控制体积有限元法(CVFEM)离散漂移‑扩散方程组，其中漂移‑扩散方程组的通量项通过六面体矢量基函数、有限差分法以及Scharfetter‑Gummel(SG)方法进行插值计算；最后，采用牛顿迭代法求解离散后的漂移‑扩散方程组，得到MOSFET器件内部的电势和载流子浓度场信息，后处理得到MOSFET器件的电流‑电压曲线。本发明的仿真方法具有高置信度、高数值精度、高数值稳定性和可扩展性等优点。可用于高效、高精度数值模拟MOSFET器件的总剂量等多物理效应，进而提高集成电路的性能、稳健性和可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114510892A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202210087729.1

  • 发明设计人 尹文言;李谭毅;詹启伟;陈文超;

    申请日2022-01-25

  • 分类号G06F30/3308;

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2023-06-19 15:22:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    公开

    发明专利申请公布

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