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基于相控阵超声和背散射法的拉长晶晶粒尺寸确定方法

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本发明提供了一种基于相控阵超声和背散射法的拉长晶晶粒尺寸确定方法，其包括：计算拉长晶粒纵波背散射系数的一般解，建立适用于相控阵超声数据的纵波背散射模型并计算纵波背散射系数，基于相控阵超声数据的纵波背散射模型，结合背散射信号测量实验，利用最小二乘法提取最优晶粒半径解，反演得到晶粒尺寸。本发明可充分利用相控阵超声提供的同时多角度扫查能力，减少评价结果的不确定性，实现拉长晶粒更可靠的定量分析，只需要探头在材料一个面内采集数据，相比于传统超声更可靠和准确。

著录项

公开/公告号CN114544445A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-27

原文格式PDF
申请/专利权人北京领示科技有限公司;
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申请/专利号CN202210172948.X
发明设计人李宇中;关雪飞;刘雨;
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申请日2022-02-24
分类号G01N15/02;G01N29/04;G01N29/44;G01N29/50;
代理机构北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王冬杰
地址 100089 北京市海淀区万柳中路11号2层2-294号
入库时间 2023-06-19 15:27:37

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2022-05-27

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1. 一种基于有效超声背散射信号提取多晶材料的晶粒平均尺寸的方法 [P] . 中国专利： CN107941907B . 2019.11.22
2. 一种基于有效超声背散射信号提取多晶材料的晶粒平均尺寸的方法 [P] . 中国专利： CN107941907A . 2018-04-20