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用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器和动态同步刷新控制方法

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一种用于多通道DRAM的动态同步刷新控制器及动态同步刷新控制方法，该控制器包括：总线接口，用于提供SoC主机对DRAM同步实时刷新控制器的访问功能；控制寄存器组；同步刷新控制器，用来完成对通道DRAM控制器的刷新功能的禁止和使能，设置通道DRAM控制器的刷新周期和刷新计数器，发送强制刷新请求；刷新监控单元，用来根据总线接口收集的各DRAM通道控制器的刷新状态，实时监控各通道DRAM的刷新状态，计算各通道刷新不可服务间隙出现时间，并与控制寄存器组进行实时对比，并将比较结果实时反馈给同步刷新控制器。该方法基于上述系统来实施。本发明具有结构简单、成本低廉、易实现和推广、可极大降低并行程序等优点。

著录项

公开/公告号CN114564422A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-31

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军国防科技大学;
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申请/专利号CN202210094225.2
发明设计人陈胜刚;扈啸;张洋;李晨;刘畅;曹壮;鲁建壮;孙书为;雷元武;陈小文;刘胜;刘仲;陈海燕;
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申请日2022-01-26
分类号G06F13/16;G06F13/28;
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人周长清
地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
入库时间 2023-06-19 15:30:44

法律信息

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法律状态
2022-05-31

公开

发明专利申请公布

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