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气敏材料及制备方法和其在NH3气敏传感器中的应用

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本发明提供一种基于MoO3@MoS2/PTH的复合材料、制备方法和在氨气气体气敏传感器的应用，涉及气体检测领域，其中，MoO3@MoS2占MoO3@MoS2/PTH质量分数的20％；其工作温度为室温，对50ppm的氨气气体灵敏度达到1.4；制备方法如下：首先通过水热法制备出花状MoO3，以MoO3为前驱体制备出MoO3@MoS2，然后通过原位聚合法制备出MoO3@MoS2/PTH气敏材料；将MoO3@MoS2/PTH材料涂覆于金电极包覆的Al2O3陶瓷管表面制成气敏元件。本发明利用原位聚合法制备的MoO3@MoS2/PTH的气敏材料对氨气具有较高的灵敏度，较快的响应时间和恢复时间。

著录项

公开/公告号CN114609197A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-10

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN202210299257.6
发明设计人周国云;周慧敏;何为;王守绪;李婧;马朝英;郭珊;
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申请日2022-03-25
分类号G01N27/12;
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 15:38:26

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法律状态
2022-06-10

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