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一种集成真空电子管器件结构及其制备方法

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摘要

本发明公开一种集成真空电子管器件结构及其制备方法，器件结构包含衬底、阴极、第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、第二栅极、第三绝缘层和阳极；阴极垂直于衬底表面；衬底、第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、第二栅极、第三绝缘层和阳极由下往上无间隙层叠；第一栅极为具有火山口状微孔的电极，第二栅极为具有火山口状微孔的电极或具有微孔的平铺电极，第二栅极顶端与第一栅极顶端的高度差为200nm～1000nm，且第二栅极微孔孔径大于第一栅极微孔孔径；阴极位于第一栅极、第二栅极微孔中心；第二栅极电位设置不低于第一栅极电位。

著录项

  • 公开/公告号CN114639580A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN202210248416.X

  • 发明设计人 佘峻聪;章易;曹兆龙;黄媛;黄一峰;邓少芝;许宁生;曾妙璇;陈军;

    申请日2022-03-14

  • 分类号H01J19/02;H01J19/38;H01J21/20;H01J9/02;

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人牛念

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2023-06-19 15:41:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-17

    公开

    发明专利申请公布

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