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一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器

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本发明属于磁隧道结技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器。本发明提供的自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚度；所述间隔层中包括至少两种非磁性元素。本发明通过将自由层结构中的第一铁磁层和第二铁磁层的厚度控制在小于1nm，有效提升了STT效率，降低了写入电流；同时，该自由层结构中的间隔层至少由两种不同的非磁性元素组成，两种元素有较强的结合能，保证了间隔层结构的稳定性，抑制了因磁性层厚度减薄引起的元素扩散，提升了耐擦写性能。

著录项

公开/公告号CN114678464A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人浙江驰拓科技有限公司;
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申请/专利号CN202011552696.0
发明设计人简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛;刘俊;
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申请日2020-12-24
分类号H01L43/08;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/10;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人藏斌
地址 311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
入库时间 2023-06-19 15:47:50

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法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-06-28

公开

发明专利申请公布

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