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一种基于海尔贝克永磁体纵向磁场的真空灭弧室

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本发明公开了一种基于海尔贝克永磁体纵向磁场的真空灭弧室，包括环形海尔贝克永磁体结构；所述环形海尔贝克永磁体结构为多个永磁体按照直线型海尔贝克阵列环绕一周形成；多个所述环形海尔贝克永磁体结构沿竖直方向套设在真空灭弧室的灭弧室外壳上形成多层海尔贝克永磁体结构，多个所述环形海尔贝克永磁体结构作用于静端电极触头和动端电极触头之间的电弧产生位置，用于给真空灭弧室提供纵向强磁场。能够在灭弧室中心区域提供超过100mT的纵向磁场。磁体套装在灭弧室外部，不会影响其内部的真空环境，还可以根据动触头动作情况上下滑动，跟随电弧中心位置，提供最有效的磁场分布。

著录项

公开/公告号CN114695015A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-01

原文格式PDF
申请/专利权人西安交通大学;
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申请/专利号CN202210462375.4
发明设计人刘思远;金敬勇;陈金超;沈靖宇;刘志远;耿英三;王建华;
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申请日2022-04-28
分类号H01H33/664;
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人王艾华
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-06-19 15:52:27

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2022-07-01

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