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一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程

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本发明属于线路板制造技术领域，涉及一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，步骤包括：X‑Ray钻靶、laser烧靶、laser钻孔、PTH沉铜、线路压膜和线路DI曝光，钻内容孔和线路曝光都对四个所述精定位靶点进行取像，然后以所述精定位靶点的圆心作为定位基准。本制程让同一个层别laser钻孔和线路工艺都利用靶点进行定位，减少了PCB同行业当普遍采用镭射环的抓取误差和机台的移动误差，节省了加工时间，降低了机器能耗，提高了机器的使用寿命，还提升了制程精度。

著录项

公开/公告号CN114710880A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-05

原文格式PDF
申请/专利权人柏承(南通)微电子科技有限公司;
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申请/专利号CN202210141935.6
发明设计人李齐良;
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申请日2022-02-16
分类号H05K3/00;H05K3/06;G03F7/20;
代理机构
代理人
地址 226000 江苏省南通市如皋市城北街道花市北路20号
入库时间 2023-06-19 15:52:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-05

公开

发明专利申请公布

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