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一种SiC基纳米尺度金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用宽禁带二维SiC材料作为衬底，p型掺杂二维SiC作为源、漏电极，可以有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，加强栅极对沟道区域电子的控制。当沟道长度小于等于5.1nm时，晶体管关态电流小于0.1μA/μm，能实现正常关断；开态电流大于900μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。

著录项

公开/公告号CN114709266A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-05

原文格式PDF
申请/专利权人长沙理工大学;
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申请/专利号CN202210359265.5
发明设计人谢海情;崔凯月;蔡稀雅;陈振华;谢进;
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申请日2022-04-07
分类号H01L29/786;H01L29/16;
代理机构
代理人
地址 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号
入库时间 2023-06-19 15:53:58

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-07-05

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