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具有为改善性能而设计的固有电容的射频晶体管放大器

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基于氮化镓的RF晶体管放大器包括具有基于氮化镓的沟道层和其上的基于氮化镓的势垒层的半导体结构，并且被配置为在特定的直流漏极‑源极偏置电压下操作。这些放大器被配置为在直流漏极‑源极偏置电压处具有归一化漏极‑栅极电容，并且在直流漏极‑源极偏置电压的三分之二处具有第二归一化漏极‑栅极电容，其中第二归一化漏极‑栅极电容小于第一归一化漏极‑栅极电容的两倍。

著录项

公开/公告号CN114731142A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人沃尔夫斯皮德股份有限公司;
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申请/专利号CN202080075744.3
发明设计人母千里;Z·莫克提;J·郭;S·什帕德;
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申请日2020-09-15
分类号H03F3/193;
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人张小稳
地址美国北卡罗莱纳
入库时间 2023-06-19 15:53:58

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法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-08

公开

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