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一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器

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本公开提供了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、电流镜单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压，基于正温度系数电压得到正温度系数电流；其中，正温度系数单元包括分流子单元；分流子单元的电流的值关联于正温度系数电流的值。电流镜单元，分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电流生成镜像电流。生成单元，用于生成基准电压，基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够调整输出的基准电压，扩大使用范围。

著录项

公开/公告号CN114740937A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-12

原文格式PDF
申请/专利权人长鑫存储技术有限公司;
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申请/专利号CN202210216730.X
发明设计人程伟杰;罗元钧;
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申请日2022-03-07
分类号G05F1/567;
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人张竞存;张颖玲
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
入库时间 2023-06-19 15:58:43

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法律状态
2022-07-12

公开

发明专利申请公布

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