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Micro LED显示芯片制备方法及Micro LED显示芯片

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本说明书实施方式提供一种Micro LED显示芯片制备方法及Micro LED显示芯片。制备方法包括：提供显示基板；显示基板包括基板，设置于基板上的LED半导体层，和设置于LED半导体层上的栅栏层；LED半导体层包括阵列排布的多个可被独立驱动的LED单元；在栅栏层刻蚀出对应至少部分LED单元的第一开孔；向栅栏层上整体涂覆第一波长转化材料，第一波长转化材料填入第一开孔；刻蚀第一波长转化材料以暴露栅栏层，并保留第一开孔中的至少部分第一波长转化材料形成第一波长转化结构，第一波长转化结构用于转换其对应的LED单元发出的光的波长形成第一颜色光。有利于降低Micro LED显示芯片的制备难度且提高适用性。

著录项

公开/公告号CN114759057A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-15

原文格式PDF
申请/专利权人镭昱光电科技(苏州)有限公司;
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申请/专利号CN202210260227.4
发明设计人仉旭;庄永漳;
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申请日2022-03-16
分类号H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00;
代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司;
代理人周达
地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302
入库时间 2023-06-19 16:00:13

法律信息

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法律状态信息

法律状态
2022-07-15

公开

发明专利申请公布

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