法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-13
授权
发明专利权授予
2022-10-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C22B26/22 专利申请号:2020800875191 申请日:20201217
实质审查的生效
机译: 一种制造镁碳石的方法,该方法由具有至少部分由该方法制得的镁碳砖制成的带有磨损衬里的过程和转炉制造的镁碳石制成。
机译: 用于制造镁的热还原装置,其适于通过交替地将镁分配至连接至多个热还原反应管的多个冷凝器来冷凝镁,以及一种用于制造与之相同的用于将其还原的镁的方法热还原反应管
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面