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外界条件对低噪声放大器电路HPM损伤进程影响的确定方法

摘要

本发明公开了一种外界条件对低噪声放大器电路HPM损伤进程影响的确定方法,包括:获取低噪声放大器电路;构建低噪声放大器电路中预设器件的第一等效模型和低噪声放大器电路的第二等效模型;接收HPM第一/二等效信号,基于第一/二等效信号和第二等效模型,确定低噪声放大器电路的第一/二损伤时间;改变第二等效模型中预设器件的端口外接电阻,并根据第一等效信号和第二等效模型,确定低噪声放大器电路的第三损伤时间;根据第一损伤时间、第二损伤时间和第三损伤时间,分析外界条件对低噪声放大器电路的HPM损伤进程的影响。本发明在电路级层面对HPM损伤效应进行分析,为低噪声放大器电路抗HPM加固性设计提供了可靠方法。

著录项

  • 公开/公告号CN115099179A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202210164629.4

  • 发明设计人 柴常春;安琪;李福星;孙毅;徐乐;

    申请日2022-02-22

  • 分类号G06F30/367;H03F1/26;H03F3/195;

  • 代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王萌

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 16:54:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    公开

    发明专利申请公布

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