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公开/公告号CN115202188A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 西安奥华电子仪器股份有限公司;中国人民解放军火箭军工程大学;
申请/专利号CN202210750363.1
发明设计人 李长星;吕宁;陆杰;赵括;柴鑫;范启蒙;彭征;肖文斌;侯巧丽;杨连会;
申请日2022-06-28
分类号G05B11/42;
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人徐秦中
地址 710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地航天东路699号军民融合创新园B区9号厂房
入库时间 2023-06-19 17:14:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
公开
发明专利申请公布
机译: 控制中子发生器中离子束和目标电压以提高性能的方法
机译: 用于控制系统中的电流的方法和装置,该系统用于驱动可控硅的直流控制
机译:基于对由高电流气动力ECR离子源产生的高质量氘核束的聚焦,形成“点状”中子源的新方法
机译:基于D-T中子源倍增系统的满足BNCT自由射束参数的BSA模型设计
机译:基于紧凑型静电加速器的D-D中子发生器中离子束传输系统的仿真研究
机译:基于CF-252源驱动的中子噪声分析和中子源相乘方法的乏燃料罐系统亚临界确定方法的仿真
机译:基于氘 - 氘中子发生器的血管中子捕获治疗系统脑肿瘤
机译:散裂中子源处基本中子物理束线的束线性能模拟
机译:用于散裂中子源的H源和低能束传输系统的束测量