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选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池

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本发明提供一种选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池，所述选择性发射极结构包括硅衬底，所述硅衬底的正面上分为电极接触区和非电极区，所述电极接触区上依次叠设有介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上结合有金属电极，所述非电极区上依次叠设有第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。上述结构在电极接触区采用超薄氧化硅/重掺杂多晶硅结构实现选择性接触，从而大大降低金属电极区的接触复合损失，非电极区采用三层钝化结构，可同时解决晶硅电池正面选择性接触问题和钝化问题，最终提高了电池的开路电压、填充因子及转换效率。

著录项

公开/公告号CN115377226A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-22

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
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申请/专利号CN202210840650.1
发明设计人刘伟;叶继春;曾俞衡;肖明晶;廖明墩;闫宝杰;
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申请日2022-07-18
分类号H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068;H01L31/18;
代理机构宁波甬致专利代理有限公司;
代理人胡天人
地址 315191 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
入库时间 2023-06-19 17:40:19

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2022-11-22

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