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一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法

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本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。

著录项

公开/公告号CN115432731A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-06

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN202211248904.7
发明设计人周涛;向全军;廖宇龙;李元勋;文天龙;李颉;张怀武;
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申请日2022-10-12
分类号C01G19/00;C03C17/00;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 17:53:19

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2022-12-06

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