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包含导电凸块以改善EMI/RFI屏蔽的半导体装置

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一种半导体装置具有屏蔽以防止EMI和/或RFI辐射的传输和/或接收。所述半导体装置包括衬底，所述衬底包含所述衬底的外围周围的接地接触垫，所述接地接触垫暴露在所述衬底的一个或多个边缘处。可在所述接触垫上形成由金或其它非氧化导电材料制成的凸块，例如使用超声波焊接去除所述接触垫与所述导电凸块之间的氧化层。所述导电凸块电耦合到施加在所述半导体装置的所述外围周围的导电涂层。

著录项

公开/公告号CN115513183A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-12-23

原文格式PDF
申请/专利权人西部数据技术公司;
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申请/专利号CN202210140485.9
发明设计人邱进添;杜建娣;郑彬彬;郭睿;周增钰;余芬;
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申请日2022-02-16
分类号H01L23/552;H01L23/498;H01L25/065;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 18:03:23

法律信息

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法律状态
2022-12-23

公开

发明专利申请公布

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