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一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备

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摘要

本发明提供一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备。上述双镀源物理气相沉积工艺包括：低偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第一偏压并为晶圆施加第三偏压，准直器在第一偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；射频准直制程，以准直器同时作为射频电极和镀源，为准直器施加射频电压，准直器在射频电压的作用下溅射镀膜粒子至晶圆的表面；高偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第二偏压并为晶圆施加第四偏压，准直器在第二偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；第四偏压大于第三偏压且二者功率的差值不小于200W。采用上述双镀源物理气相沉积工艺能够使晶圆上所需覆盖的结构形成覆盖率高、均匀度高的镀膜。

著录项

  • 公开/公告号CN115572949A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州湾区半导体产业集团有限公司;

    申请/专利号CN202211128610.0

  • 发明设计人 潘兴强;

    申请日2022-09-16

  • 分类号C23C14/34;C23C14/54;

  • 代理机构广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人肖宇扬;江银会

  • 地址 510700 广东省广州市黄埔区开发大道348号第九层909房

  • 入库时间 2023-06-19 18:13:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    公开

    发明专利申请公布

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