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垂直型第III族氮化物半导体LED芯片及其制造方法

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本发明提供用于更高效地制造减少了形成在发光结构中的裂纹的高品质垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的方法。该垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的制造方法包括：在生长基板上以生长基板与发光结构层叠体之间设置有剥离层的方式通过顺次地堆叠第一导电类型III族氮化物半导体层、发光层和第二导电类型III族氮化物半导体层形成发光结构层叠体的第一步骤，第二导电类型不同于第一导电类型；通过部分去除发光结构层叠体以使生长基板部分露出而形成多个独立的发光结构的第二步骤；形成具有下电极并一体支撑多个发光结构的导电性支撑体的第三步骤；通过用化学剥离工艺去除剥离层使生长基板从多个发光结构分离的第四步骤；和通过将发光结构之间的导电性支撑体进行分割而使均具有由导电性支撑体支撑的发光结构的多个LED芯片单片化的第五步骤。在第四步骤之前，在发光结构的中央区域中形成贯通的第一通孔使得至少剥离层露出。在第四步骤中经由第一通孔供给蚀刻剂。

著录项

公开/公告号CN103814447B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-20

原文格式PDF
申请/专利权人 BBSA有限公司;同和电子科技有限公司;
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申请/专利号CN201180072086.3
发明设计人曹明焕;李锡雨;张弼国;鸟羽隆一;门胁嘉孝;
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申请日2011-05-12
分类号H01L33/32(20060101);
代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;张会华
地址中国香港
入库时间 2022-08-23 09:38:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/32 登记生效日:20180619 变更前: 变更后: 变更前:

专利申请权、专利权的转移
2016-04-20

授权

授权
2016-04-20

授权

授权
2015-08-05

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/32 变更前: 变更后: 登记生效日:20150714 申请日:20110512

专利申请权、专利权的转移
2015-08-05

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/32 变更前: 变更后: 登记生效日:20150714 申请日:20110512

专利申请权、专利权的转移
2014-06-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20110512

实质审查的生效
2014-06-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20110512

实质审查的生效
2014-05-21

公开

公开
2014-05-21

公开

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