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一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸传感器

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本实用新型公开了一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极表面组装有3‑巯基丙磺酸膜。本实用新型将3‑巯基丙磺酸(MPS)修饰在栅极延长出来的金电极的金膜层表面上，形成一种简易的MPS自组装延长栅金电极(GGE)，利用场效应晶体管原位信号放大作用对L‑半胱氨酸实现灵敏检测。该传感器对L‑半胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10

著录项

公开/公告号CN208860791U

专利类型实用新型
公开/公告日2019-05-14

原文格式PDF
申请/专利权人长沙理工大学;
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申请/专利号CN201821387694.9
发明设计人肖忠良;肖情;朱钦;曹忠;陈琳;杨丽琴;李文锋;全浩;于鑫垚;
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申请日2018-08-28
分类号
代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司;
代理人刘佳芳
地址 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
入库时间 2022-08-22 09:09:53

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2019-05-14

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