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一种可控硅驱动电路及可控硅芯片

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本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。

著录项

公开/公告号CN211930611U

专利类型实用新型
公开/公告日2020-11-13

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市德芯半导体技术有限公司;
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申请/专利号CN202020686206.5
发明设计人蓝浩涛;张潘德;赖首雄;
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申请日2020-04-28
分类号H03K17/72(20060101);H01L29/74(20060101);
代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;
代理人郑浩旋
地址 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街坂田文化创意园Y1栋1楼12-13号212室
入库时间 2022-08-22 17:59:03

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