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GaN基半导体的界面态密度测试结构

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摘要

本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，肖特基金属层在GaN外延层上的投影区域覆盖无源区并延伸至有源区，并且肖特基金属层和欧姆金属层在GaN外延层上的投影区域互不重叠，当采用C‑V测试法测量钝化层与GaN外延层之间的界面态密度时，分析仪的两端分别设于肖特基金属层和欧姆金属层上。通过测量出的C‑V曲线拟合可得到钝化层与GaN外延层之间的界面态密度，有源区上方的肖特基金属层在GaN外延层上的投影形状为圆形，该界面态密度测试结构的寄生效应小，测量准确度高。

著录项

  • 公开/公告号CN218241772U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2023-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门市三安集成电路有限公司;

    申请/专利号CN202221714286.6

  • 发明设计人 蔡文必;王哲力;靳义昌;邹冠;许亚红;

    申请日2022-07-05

  • 分类号H01L21/66;

  • 代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人连耀忠

  • 地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

  • 入库时间 2023-01-12 18:58:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    授权

    实用新型专利权授予

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