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半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫

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摘要

本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。

著录项

公开/公告号CN1309026C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-04-04

原文格式PDF
申请/专利权人 JSR株式会社;
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申请/专利号CN03801567.6
发明设计人志保浩司;长谷川亨;川桥信夫;
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申请日2003-08-08
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人陈昕
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:59:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-04-04

授权

授权
2005-05-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-03-09

公开

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