公开/公告号CN1252486C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN200310118596.7
申请日2003-12-15
分类号G01R33/09(20060101);G11B5/39(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;
代理人尹振启
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 11:10:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-02-10
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-04-19
授权
授权
2005-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-11-17
公开
公开
机译: 包括堆叠的反铁磁层和被钉扎层的交换耦合膜,以及包括该交换耦合膜的磁阻元件
机译: 包括堆叠的反铁磁层和被钉扎层的交换耦合膜,以及包括该交换耦合膜的磁阻元件
机译: 具有改进的反铁磁钉扎层和相应的制造方法的多层装置