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一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法

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本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni_0.29‑x‑yZn_0.53+xCu_0.18+yFe_1.95O₄(x＝0～0.02；y＝0～0.02)，同时采用BBSZ玻璃、Co₂O₃、TiO₂和CaCO₃作为掺杂剂。通过以上材料配方、工艺的优化设计并结合4种掺杂剂的组合改性，以实现900℃的低温烧结，并兼顾起始磁导率μ_i在80～96之间；抗直流偏置磁场H_70％在950～800A/m，比温度系数≤2×10^‑6/℃(20℃～80℃)。本发明很好地兼顾了高起始磁导率、高抗直流偏置磁场以及高温度稳定性的综合要求，其生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低，可广泛应用于研发生产高可靠性的LTCC片式电感/磁珠产品。

著录项

公开/公告号CN107857581B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201710968240.4
发明设计人苏桦;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;徐自强;
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申请日2017-10-18
分类号C04B35/26(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:31:23

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