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一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法

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摘要

本发明提供一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法，包括：主磁体线圈为多层线圈，其连接主磁体电路，用于产生主磁场；主磁场在其磁场空间的任意时间点上均存在不均匀分量；匀场线圈连接匀场电路，产生补偿磁场；补偿磁场对主磁场预设空间区域的不均匀分量进行补偿，使得主磁场在预设空间内相对均匀；预设空间与补偿磁场的作用空间相关；匀场线圈包括串联的两个线圈，之间有空隙，结构尺寸且绕向相同，采用通电圆环结构；控制模块实时测量主磁体线圈中的电流和匀场线圈中的电流，闭环反馈调节匀场线圈的电流，以实现对主磁场的动态均匀补偿。通过匀场线圈产生磁场能够在目标区域内进行精确的匀场补偿，使得磁场均匀度实现一个数量级以上的提升。

著录项

  • 公开/公告号CN113325351B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202110491170.4

  • 发明设计人 韩小涛;魏文琦;刘沁莹;万昊;袁乐;

    申请日2021-05-06

  • 分类号G01R33/387(20060101);G01R33/3875(20060101);

  • 代理机构42267 武汉华之喻知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓彦彦;廖盈春

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 13:24:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    授权

    发明专利权授予

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