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一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用

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摘要

本发明公开了一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用；将铜盐、钴盐和六亚甲基四胺溶解于水和甲醇的混合溶剂中，将溶液转移至反应釜中，将泡沫镍倾斜置于溶液中，进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，产物经洗涤、干燥，即可制得Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料；本公开的Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构，利用Cu掺杂可以有效地调节Co(OH)2的电子结构，减小电阻，增加活性位点，提高亲水性，加快电子转移速率；所述Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料作为尿素氧化反应、析氢反应和全尿素电解反应的电催化剂，具有活性高、耐久性好以及制备工艺简单、成本低廉的优点，对研究产氢电催化电极材料的实际应用非常具有价值。

著录项

  • 公开/公告号CN111883367B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽师范大学;

    申请/专利号CN202010531881.5

  • 发明设计人 吴正翠;王相宇;高峰;

    申请日2020-06-11

  • 分类号H01G11/30(20130101);H01G11/86(20130101);H01G11/24(20130101);

  • 代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人尹婷婷

  • 地址 241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学

  • 入库时间 2022-08-23 13:26:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    授权

    发明专利权授予

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