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一种空间位阻调控的TADF共轭高分子、其制备方法及应用

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本发明提供了一种空间位阻调控的TADF共轭高分子，电子给体D和电子受体A交替连接，且电子给体D具有空间位阻基团，位于电子给体D和电子受体A连接位点的邻位；电子受体A也具有空间位阻基团，位于电子给体A和电子受体D连接位点的邻位。本发明通过在交替连接的电子给体和电子受体之间增加空间位阻基团，且将所述空间位阻基团设置在D与A连接位点的邻位，能够减弱它们之间的共轭作用，使其形成的电荷转移态的最低单‑三线态能级差(ΔEST)变小，TADF性质得到极大的提升。本发明还提供了一种空间位阻调控的TADF共轭高分子的制备方法及其应用。

著录项

公开/公告号CN112521586B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院长春应用化学研究所;
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申请/专利号CN202011399629.X
发明设计人丁军桥;饶建成;王淑萌;赵磊;
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申请日2020-12-02
分类号C08G61/12;C09K11/06;C07C211/56;C07C209/10;H01L51/50;H01L51/54;
代理机构
代理人
地址 130022 吉林省长春市人民大街5625号
入库时间 2022-08-23 13:36:08

法律信息

法律状态公告日

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2022-05-06

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发明专利权授予

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