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一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法

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本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。

著录项

公开/公告号CN113135758B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-10

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
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申请/专利号CN202110323660.3
发明设计人廖春景;董绍明;靳喜海;倪德伟;章龙龙;林玲;顾炎;
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申请日2021-03-26
分类号C23C16/36;C23C16/455;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/80;C04B35/84;
代理机构
代理人
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2022-08-23 13:36:55

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2022-05-10

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