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发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备

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本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。

著录项

公开/公告号CN109473510B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-13

原文格式PDF
申请/专利权人佳能株式会社;
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申请/专利号CN201811023086.4
发明设计人内田武志;须贺贵子;
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申请日2018-09-04
分类号H01L33/00;H01L33/08;H01L33/30;
代理机构
代理人
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 13:39:02

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