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利用不着陆过孔解决方案用于电容利益的陶立克式支柱支撑的无掩模气隙结构

摘要

本发明的实施例包括具有浮置互连线的互连层和形成这种互连层的方法。在实施例中,多个开口被形成在第一牺牲材料层中。导电过孔和介电支柱可被形成在开口中。第二牺牲材料层可随后被形成在支柱、过孔和第一牺牲材料层上方。在实施例中,可渗透蚀刻停止层被形成在第二牺牲层的顶表面上方。实施例随后包括:在第二牺牲材料层中形成互连线。在实施例中,在互连线已被形成之后,通过可渗透蚀刻停止层去除第一和第二牺牲材料层。根据实施例,可渗透蚀刻停止层可随后被利用填充材料填充以便将可渗透蚀刻停止层硬化。

著录项

  • 公开/公告号CN107750389B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201580080333.2

  • 发明设计人 K.J.辛格;林啟文;R.L.布里斯托尔;

    申请日2015-06-25

  • 分类号H01L21/768;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/764;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人黄涛;郑冀之

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 13:40:57

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