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一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统

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一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。

著录项

公开/公告号CN108416838B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-31

原文格式PDF
申请/专利权人南开大学;
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申请/专利号CN201810173416.1
发明设计人任博;黄家辉;胡事民;
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申请日2018-03-02
分类号G06T17/00;
代理机构天津耀达律师事务所;
代理人张耀
地址 300071 天津市南开区卫津路94号
入库时间 2022-08-23 13:45:44

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