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一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅微纳粉体的方法

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本发明公开了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型‑碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀，获得混合原料；将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装；将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中，高温发生碳热还原反应；待物料完全冷却后，将坩埚取出，去除覆盖层后得到碳化硅粉体，将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧；以球磨等方式进行分散；碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型‑碳化硅微纳粉体。本发明采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型‑碳化硅微纳粉体为微纳米级，一级粉体提纯细化后产率高，且工艺简单、成本低，适宜大规模工业化生产。

著录项

公开/公告号CN112777598B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-21

原文格式PDF
申请/专利权人浙江理工大学;
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申请/专利号CN202110036787.7
发明设计人陈建军;杨佳豪;朱明明;郑旭鹏;施嘉辉;
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申请日2021-01-12
分类号C01B32/984;B82Y40/00;
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人林超
地址 310018 浙江省杭州市江干经济开发区2号大街928号
入库时间 2022-08-23 13:53:04

法律信息

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法律状态
2022-06-21

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