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用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法

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本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本，而且腐蚀后也容易清洗。

著录项

公开/公告号CN112592719B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所;
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申请/专利号CN202010770895.2
发明设计人张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩;
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申请日2020-08-04
分类号C09K13/04;H01L31/18;
代理机构工业和信息化部电子专利中心;
代理人罗丹
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2022-08-23 13:55:53

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2022-06-28

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