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一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法

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本发明提供一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法，通过将磁芯在非饱和工作区的磁通密度分隔成若干区间，以计算出每个区间相应的磁滞损耗数据。不同直流偏置下磁芯的磁滞损耗可由所计算的磁通密度变化量在所涉及的磁滞损耗区间组合表示，从而预估相同磁通密度变化量在不同直流偏置条件下磁滞损耗的变化规律。利用无偏置条件下的磁滞损耗数据预估直流偏置情况下的磁芯损耗。

著录项

公开/公告号CN110162917B

专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.12

原文格式PDF
申请/专利权人南京邮电大学;
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申请/专利号CN201910468778.8
发明设计人周岩;朱伟波;
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申请日2019.05.31
分类号G06F30/20(2020.01);
代理机构南京正联知识产权代理有限公司 32243;
代理人王素琴
地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
入库时间 2022-09-26 23:16:07

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