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公开/公告号CN113421881B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.19
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN202110577778.9
发明设计人 江安全;庄晓;柴晓杰;江钧;孙杰;张文笛;
申请日2021.05.26
分类号H01L27/11507(2017.01);
代理机构上海正旦专利代理有限公司 31200;上海正旦专利代理有限公司 31200;
代理人陆飞;陆尤
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-09-26 23:16:40
机译: 具有90纳米厚度或更少厚度的铁电薄膜的90铁电存储器及其制造方法
机译: 双模式参考电路,存储电路,铁电存储电路,为铁电存储电路生成参考电压的方法以及操作铁电存储器的有效方法
机译: 具有90纳米或更小厚度的铁电薄膜的铁电存储器及其制造方法
机译:勘误表:不对称金属-铁电-金属异质结构中的铁电:组合的第一性原理-现象学方法
机译:铁电和界面层厚度对铁电FET设计的影响
机译:基于聚偏二氟乙烯-三氟乙烯超薄膜的铁电随机存取存储器的铁电特性对厚度的依赖性
机译:浇筑栅极堆栈和铁电隧道结中金属 - 铁壳绝缘半导体结构中最佳界面层的指南
机译:用于存储器应用的铁电铋层SBT和金属/铁电/绝缘体/硅晶体管。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:具有缩放铁电HFZRO1和ALON界面层的基于SI的N和P-FEFET之间的不对称存储器窗口。
机译:表征锆钛酸铅(pZT)铁电薄膜和存储器件电气优先级的新方法。